RN1312(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	RN1312(TE85L,F)
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM
Especificaciones:	RN1312(TE85L,F).pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	2079130 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2079130 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

3000 pcs: $0.017

6000 pcs: $0.015

15000 pcs: $0.013

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Especificaciones de RN1312(TE85L,F)

Número de pieza	RN1312(TE85L,F)	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	2079130 pcs	Ficha de datos	RN1312(TE85L,F).pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)	50V	VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor	NPN - Pre-Biased	Paquete del dispositivo	USM
Serie	-	Resistor - Base (R1)	22 kOhms
Potencia - Max	150mW	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	SC-70, SOT-323	Otros nombres	RN1312(TE85LF) RN1312(TE85LF)-ND RN1312(TE85LF)TR RN1312TE85LF
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frecuencia - Transición	250MHz
Descripción detallada	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount USM	DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)	100nA (ICBO)	Corriente - colector (Ic) (Max)	100mA
Número de pieza base	RN131*

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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