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2SK2883(TE24L,Q)

Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage
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Descripción del producto

Número de pieza: 2SK2883(TE24L,Q)
Fabricante / Marca: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto MOSFET N-CH 800V 3A TO220SM
Especificaciones: 1.2SK2883(TE24L,Q).pdf2.2SK2883(TE24L,Q).pdf
Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock 5805 pcs stock
Nave de Hong Kong
Manera del envío DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 5805 pcs
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Especificaciones de 2SK2883(TE24L,Q)

Número de pieza 2SK2883(TE24L,Q) Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción MOSFET N-CH 800V 3A TO220SM Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 5805 pcs Ficha de datos 1.2SK2883(TE24L,Q).pdf2.2SK2883(TE24L,Q).pdf
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 1mA Vgs (Max) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) Paquete del dispositivo TO-220SM
Serie - RDS (Max) @Id, Vgs 3.6 Ohm @ 1.5A, 10V
La disipación de energía (máximo) 75W (Tc) embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 750pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 25nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Característica de FET - Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 800V Descripción detallada N-Channel 800V 3A (Ta) 75W (Tc) Surface Mount TO-220SM
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Ta)

Modo de transporte

★ ENVÍO GRATUITO A TRAVÉS DE DHL / FEDEX / UPS SI PIDE UNA CANTIDAD MÁS DE 1,000 USD.
(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

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