2SK2845(TE16L1,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Descripción del producto

Número de pieza:	2SK2845(TE16L1,Q)
Fabricante / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción del producto	MOSFET N-CH 900V 1A DP
Especificaciones:	1.2SK2845(TE16L1,Q).pdf 2.2SK2845(TE16L1,Q).pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	3820 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3820 pcs

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Especificaciones de 2SK2845(TE16L1,Q)

Número de pieza	2SK2845(TE16L1,Q)	Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción	MOSFET N-CH 900V 1A DP	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	3820 pcs	Ficha de datos	1.2SK2845(TE16L1,Q).pdf 2.2SK2845(TE16L1,Q).pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	DP
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	9 Ohm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo)	40W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	15nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	900V	Descripción detallada	N-Channel 900V 1A (Ta) 40W (Tc) Surface Mount DP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	1A (Ta)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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