
| Número de pieza | PMGD8000LN,115 | Fabricante | NXP Semiconductors / Freescale |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 3636 pcs | Ficha de datos | |
| VGS (th) (Max) @Id | 1.5V @ 100µA | Paquete del dispositivo | 6-TSSOP |
| Serie | TrenchMOS™ | RDS (Max) @Id, Vgs | 8 Ohm @ 10mA, 4V |
| Potencia - Max | 200mW | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Otros nombres | 568-2370-2 934057621115 PMGD8000LN T/R |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 18.5pF @ 5V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 0.35nC @ 4.5V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | Característica de FET | Logic Level Gate |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V | Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 125mA 200mW Surface Mount 6-TSSOP |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 125mA |
| FEDEX | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
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