| Número de pieza | PMGD290XN,115 | Fabricante | Nexperia |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 910338 pcs | Ficha de datos | PMGD290XN,115.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 1.5V @ 250µA | Paquete del dispositivo | 6-TSSOP |
| Serie | TrenchMOS™ | RDS (Max) @Id, Vgs | 350 mOhm @ 200mA, 4.5V |
| Potencia - Max | 410mW | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Otros nombres | 1727-3126-2 568-2366-2 568-2366-2-ND 934057731115 PMGD290XN T/R PMGD290XN115 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 34pF @ 20V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 0.72nC @ 4.5V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | Característica de FET | Logic Level Gate |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V | Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 860mA 410mW Surface Mount 6-TSSOP |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 860mA |
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