APT31N80JC3

Microsemi

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Descripción del producto

Número de pieza:	APT31N80JC3
Fabricante / Marca:	Microsemi
Descripción del producto	MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227
Especificaciones:	APT31N80JC3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	6796 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6796 pcs

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Especificaciones de APT31N80JC3

Número de pieza	APT31N80JC3	Fabricante	Microsemi
Descripción	MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	6796 pcs	Ficha de datos	APT31N80JC3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3.9V @ 2mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	ISOTOP®
Serie	CoolMOS™	RDS (Max) @Id, Vgs	145 mOhm @ 22A, 10V
La disipación de energía (máximo)	833W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	SOT-227-4, miniBLOC	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4510pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	355nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	800V	Descripción detallada	N-Channel 800V 31A (Tc) 833W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	31A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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