APT31M100B2

Microsemi

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Descripción del producto

Número de pieza:	APT31M100B2
Fabricante / Marca:	Microsemi
Descripción del producto	MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX
Especificaciones:	1.APT31M100B2.pdf 2.APT31M100B2.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	6305 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6305 pcs

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Especificaciones de APT31M100B2

Número de pieza	APT31M100B2	Fabricante	Microsemi
Descripción	MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	6305 pcs	Ficha de datos	1.APT31M100B2.pdf 2.APT31M100B2.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 2.5mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	T-MAX™ [B2]
Serie	POWER MOS 8™	RDS (Max) @Id, Vgs	380 mOhm @ 16A, 10V
La disipación de energía (máximo)	1040W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-247-3 Variant	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	8500pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	260nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	1000V	Descripción detallada	N-Channel 1000V 32A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	32A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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