ZDS020N60TB

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	ZDS020N60TB
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 600V 8SOIC
Especificaciones:	ZDS020N60TB.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	175786 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 175786 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

2500 pcs: $0.181

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Especificaciones de ZDS020N60TB

Número de pieza	ZDS020N60TB	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 600V 8SOIC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	175786 pcs	Ficha de datos	ZDS020N60TB.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-SOP
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	5 Ohm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo)	2W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	310pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	20nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V	Descripción detallada	N-Channel 600V 630mA (Tc) 2W (Tc) Surface Mount 8-SOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	630mA (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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