International Rectifier (Infineon Technologies)| Número de pieza | BSC12DN20NS3GATMA1 | Fabricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 174610 pcs | Ficha de datos | BSC12DN20NS3GATMA1.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 25µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | PG-TDSON-8 |
| Serie | OptiMOS™ | RDS (Max) @Id, Vgs | 125 mOhm @ 5.7A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 50W (Tc) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 8-PowerTDFN | Otros nombres | BSC12DN20NS3 G BSC12DN20NS3G BSC12DN20NS3GATMA1TR BSC12DN20NS3GTR BSC12DN20NS3GTR-ND SP000781774 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 680pF @ 100V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 8.7nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 200V |
| Descripción detallada | N-Channel 200V 11.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 11.3A (Tc) |
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|---|---|---|
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