SP8M10FU6TB

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	SP8M10FU6TB
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC
Especificaciones:	SP8M10FU6TB.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	6494 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6494 pcs

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Especificaciones de SP8M10FU6TB

Número de pieza	SP8M10FU6TB	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	6494 pcs	Ficha de datos	SP8M10FU6TB.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 1mA	Paquete del dispositivo	8-SOP
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	24 mOhm @ 7A, 10V
Potencia - Max	2W	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	600pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	11.8nC @ 5V	Tipo FET	N and P-Channel
Característica de FET	Logic Level Gate	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	Mosfet Array N and P-Channel 30V 7A, 4.5A 2W Surface Mount 8-SOP	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	7A, 4.5A
Número de pieza base	*M10

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