RRQ030P03TR

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RRQ030P03TR
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Especificaciones:	RRQ030P03TR.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	479062 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 479062 pcs

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Especificaciones de RRQ030P03TR

Número de pieza	RRQ030P03TR	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	479062 pcs	Ficha de datos	RRQ030P03TR.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TSMT6 (SC-95)
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	75 mOhm @ 3A, 10V
La disipación de energía (máximo)	600mW (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Otros nombres	RRQ030P03MGTR
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	480pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	12nC @ 10V
Tipo FET	P-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	P-Channel 30V 3A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	3A (Ta)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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