RK7002BMHZGT116

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RK7002BMHZGT116
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	2.5V DRIVE NCH MOSFET
Especificaciones:	1.RK7002BMHZGT116.pdf 2.RK7002BMHZGT116.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	420468 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 420468 pcs

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Especificaciones de RK7002BMHZGT116

Número de pieza	RK7002BMHZGT116	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	2.5V DRIVE NCH MOSFET	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	420468 pcs	Ficha de datos	1.RK7002BMHZGT116.pdf 2.RK7002BMHZGT116.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.3V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	SST3
Serie	Automotive, AEC-Q101	RDS (Max) @Id, Vgs	2.4 Ohm @ 250mA, 10V
La disipación de energía (máximo)	350mW (Ta)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Otros nombres	RK7002BMHZGT116CT
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	15pF @ 25V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V	Descripción detallada	N-Channel 60V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SST3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	250mA (Ta)

Modo de transporte
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Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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