FCP125N65S3

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FCP125N65S3
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 650V 125MOHM TO220
Especificaciones:	FCP125N65S3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	40370 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 40370 pcs

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Especificaciones de FCP125N65S3

Número de pieza	FCP125N65S3	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 650V 125MOHM TO220	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	40370 pcs	Ficha de datos	FCP125N65S3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4.5V @ 2.4mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220-3
Serie	SuperFET® III	RDS (Max) @Id, Vgs	125 mOhm @ 12A, 10V
La disipación de energía (máximo)	181W (Tc)	Paquete / Cubierta	TO-220-3
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1940pF @ 400V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	46nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	650V
Descripción detallada	N-Channel 650V 24A (Tc) 181W (Tc) Through Hole TO-220-3	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	24A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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