RHU002N06T106

LAPIS Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	RHU002N06T106
Fabricante / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323
Especificaciones:	RHU002N06T106.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	1271302 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1271302 pcs

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Especificaciones de RHU002N06T106

Número de pieza	RHU002N06T106	Fabricante	LAPIS Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	1271302 pcs	Ficha de datos	RHU002N06T106.pdf
VGS (th) (Max) @Id	-	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	UMT3
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	2.4 Ohm @ 200mA, 10V
La disipación de energía (máximo)	200mW (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	SC-70, SOT-323	Otros nombres	RHU002N06T106-ND RHU002N06T106TR
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	15pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	4.4nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V
Descripción detallada	N-Channel 60V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	200mA (Ta)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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