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Infineon Technologies
| Número de pieza | IRLML6302GTRPBF | Fabricante | Infineon Technologies |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET P-CH 20V 0.78A SOT-23-3 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 888862 pcs | Ficha de datos | IRLML6302GTRPBF.pdf |
| Voltaje - Prueba | 97pF @ 15V | Tensión - Desglose | Micro3™/SOT-23 |
| VGS (th) (Max) @Id | 600 mOhm @ 610mA, 4.5V | Vgs (Max) | 2.7V, 4.5V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Serie | HEXFET® |
| Estado RoHS | Tape & Reel (TR) | RDS (Max) @Id, Vgs | 780mA (Ta) |
| Polarización | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Otros nombres | IRLML6302GTRPBF-ND IRLML6302GTRPBFTR SP001550492 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Número de pieza del fabricante | IRLML6302GTRPBF |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3.6nC @ 4.5V | Tipo de IGBT | ±12V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 1.5V @ 250µA | Característica de FET | P-Channel |
| Descripción ampliada | P-Channel 20V 780mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | - |
| Descripción | MOSFET P-CH 20V 0.78A SOT-23-3 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 20V |
| relación de capacidades | 540mW (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
|---|---|---|
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