Infineon Technologies| Número de pieza | IRLML5203GTRPBF | Fabricante | Infineon Technologies |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23-3 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 568116 pcs | Ficha de datos | IRLML5203GTRPBF.pdf |
| Voltaje - Prueba | 510pF @ 25V | Tensión - Desglose | Micro3™/SOT-23 |
| VGS (th) (Max) @Id | 98 mOhm @ 3A, 10V | Vgs (Max) | 4.5V, 10V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Serie | HEXFET® |
| Estado RoHS | Tape & Reel (TR) | RDS (Max) @Id, Vgs | 3A (Ta) |
| Polarización | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Otros nombres | IRLML5203GTRPBF-ND IRLML5203GTRPBFTR SP001567222 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Número de pieza del fabricante | IRLML5203GTRPBF |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 14nC @ 10V | Tipo de IGBT | ±20V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 2.5V @ 250µA | Característica de FET | P-Channel |
| Descripción ampliada | P-Channel 30V 3A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | - |
| Descripción | MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23-3 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 30V |
| relación de capacidades | 1.25W (Ta) |
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|---|---|---|
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