Elija su país o región.

Close
Iniciar sesión Regístrese Email:Info@infinity-electronic.com
0 Item(s)

IPB60R080P7ATMA1

International Rectifier (Infineon Technologies)International Rectifier (Infineon Technologies)
IPB60R080P7ATMA1 Image
La imagen puede ser representación. Ver especificaciones para detalles del producto.

Descripción del producto

Número de pieza: IPB60R080P7ATMA1
Fabricante / Marca: International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción del producto MOSFET N-CH TO263-3
Especificaciones: IPB60R080P7ATMA1.pdf
Estado RoHS Contiene plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock 14837 pcs stock
Nave de Hong Kong
Manera del envío DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 14837 pcs
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
1 pcs
$2.244
10 pcs
$2.005
100 pcs
$1.644
500 pcs
$1.331
Petición de oferta en línea
Complete todos los campos obligatorios con su información de contacto. Haga clic en " SUBMIT RFQ ". Nos pondremos en contacto con usted por correo electrónico. O envíenos un correo electrónico:Info@infinity-electronic.com
  • Precio objetivo:(USD)
  • Cantidad:
Total:$2.244

Indíquenos su precio objetivo si hay cantidades superiores a las que se muestran.

  • Número de pieza
  • Nombre de la empresa
  • Nombre de contacto
  • Email
  • Mensajes

Especificaciones de IPB60R080P7ATMA1

Número de pieza IPB60R080P7ATMA1 Fabricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción MOSFET N-CH TO263-3 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 14837 pcs Ficha de datos IPB60R080P7ATMA1.pdf
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 590µA Vgs (Max) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) Paquete del dispositivo D²PAK (TO-263AB)
Serie CoolMOS™ P7 RDS (Max) @Id, Vgs 80 mOhm @ 11.8A, 10V
La disipación de energía (máximo) 129W (Tc) embalaje Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Otros nombres IPB60R080P7ATMA1CT
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Estado sin plomo / Estado RoHS Contains lead / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2180pF @ 400V Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 51nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Característica de FET -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 650V
Descripción detallada N-Channel 650V 37A (Tc) 129W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 37A (Tc)

Modo de transporte

★ ENVÍO GRATUITO A TRAVÉS DE DHL / FEDEX / UPS SI PIDE UNA CANTIDAD MÁS DE 1,000 USD.
(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

FEDEX www.FedEx.com Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
DHL www.DHL.com Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
UPS www.UPS.com Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
TNT www.TNT.com Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.

★ El tiempo de entrega será de 2 a 4 días en la mayor parte del país en todo el mundo por DHL / UPS / FEDEX / TNT.

Por favor, no dude en contactarnos si tiene alguna pregunta sobre el envío. Envíenos un correo electrónico Info@infinity-electronic.com
FedexDHLUPSTNT

GARANTÍA POST-VENTA

  1. A cada producto de Infinity-Semiconductor.com se le ha otorgado un período de garantía de 1 AÑO. Durante este período, podríamos proporcionar mantenimiento técnico gratuito si hay algún problema con nuestros productos.
  2. Si encuentra problemas de calidad en nuestros productos después de recibirlos, puede probarlos y solicitar un reembolso incondicional si se puede probar.
  3. Si los productos son defectuosos o no funcionan, puede devolvernos dentro de 1 AÑO, todos los gastos de transporte y de aduana de los productos correrán a cargo de nosotros.

Tags relacionados

Productos relacionados

IPB60R060P7ATMA1
IPB60R060P7ATMA1
Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción: MOSFET N-CH TO263-3
Existencias disponibles: 10133 pcs
Descargar: IPB60R060P7ATMA1.pdf
RFQ
IPB60R099CPATMA1
IPB60R099CPATMA1
Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción: MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK
Existencias disponibles: 20472 pcs
Descargar: IPB60R099CPATMA1.pdf
RFQ
IPB60R040C7ATMA1
IPB60R040C7ATMA1
Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción: MOSFET N-CH 650V 50A TO263-3
Existencias disponibles: 8089 pcs
Descargar: IPB60R040C7ATMA1.pdf
RFQ
IPB60R099CPAATMA1
IPB60R099CPAATMA1
Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
Existencias disponibles: 21737 pcs
Descargar: IPB60R099CPAATMA1.pdf
RFQ
IPB530N15N3GATMA1
IPB530N15N3GATMA1
Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción: MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3
Existencias disponibles: 118059 pcs
Descargar: IPB530N15N3GATMA1.pdf
RFQ
IPB60R120C7ATMA1
IPB60R120C7ATMA1
Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción: MOSFET N-CH 650V 19A TO263-3
Existencias disponibles: 41214 pcs
Descargar: IPB60R120C7ATMA1.pdf
RFQ
IPB60R099C6ATMA1
IPB60R099C6ATMA1
Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263
Existencias disponibles: 26822 pcs
Descargar: IPB60R099C6ATMA1.pdf
RFQ
IPB60R060C7ATMA1
IPB60R060C7ATMA1
Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción: MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3
Existencias disponibles: 19519 pcs
Descargar: IPB60R060C7ATMA1.pdf
RFQ
IPB60R099P7ATMA1
IPB60R099P7ATMA1
Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción: MOSFET N-CH TO263-3
Existencias disponibles: 39673 pcs
Descargar: IPB60R099P7ATMA1.pdf
RFQ
IPB60R099C7ATMA1
IPB60R099C7ATMA1
Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción: MOSFET N-CH 650V 22A TO263-3
Existencias disponibles: 27644 pcs
Descargar: IPB60R099C7ATMA1.pdf
RFQ
IPB600N25N3GATMA1
IPB600N25N3GATMA1
Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción: MOSFET N-CH 250V 25A TO263-3
Existencias disponibles: 66007 pcs
Descargar: IPB600N25N3GATMA1.pdf
RFQ
IPB50R299CPATMA1
IPB50R299CPATMA1
Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción: MOSFET N-CH 550V 12A TO-263
Existencias disponibles: 2900 pcs
Descargar: IPB50R299CPATMA1.pdf
RFQ

Noticias de la Industria

Rohm agrega 10 mosfets automotrices de SiC
"La introducción de la serie SCT3xxxxxHR permite a Rohm ofrecer la línea más grande de mosfets de...
ON se agrega a los MOSFET de SiC
ON Semiconductor ha introducido dos MOSFET de SiC destinados a aplicaciones de EV, solares y UPS. El...
APEC: TI piensa lateralmente para hacer un chip ac-dc con 15 mW en espera
"Este dispositivo logra el mejor equilibrio entre alta eficiencia y ruido ultra bajo al tiempo que r...
Contenido patrocinado: Analizador de espectro SIGLENT SVA1015X
El analizador de espectro SIGLENT SVA1015X es una herramienta muy potente y flexible para varias med...
Se espera que el gasto de los equipos de fabricación semi disminuya un 14% este año y crezca un 27% el próximo año
Estimulado por una desaceleración en el sector de la memoria, la desaceleración de 2019 marca el f...
Power Stamp Alliance reduce la necesidad de una CPU host para monitorear las unidades de suministro de energía y agrega un diseño de referencia
Alliance (Artesyn Embedded Technologies, Bel Power Solutions, Flex y STMicroelectronics) ha creado u...
APEC: poder de SiC y herramientas eléctricas mejoradas basadas en la nube
La capacidad de búsqueda se ha mejorado, y hay un menú estilo carrusel que permite seleccionar dis...
Dengrove agrega convertidores de CC / CC que ahorran espacio de Recom
Están diseñados para aplicaciones que requieren alta densidad de potencia y alta eficiencia y tien...
Primer procesador de brazos con calificación militar para aplicaciones de alta fidelidad
LS1046A forma parte de la cartera Arm Layerscape de 64 bits de NXP, con un brazo Cortex-A72 de cuatr...