International Rectifier (Infineon Technologies)| Número de pieza | IPB60R099CPATMA1 | Fabricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 20472 pcs | Ficha de datos | IPB60R099CPATMA1.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 3.5V @ 1.2mA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | PG-TO263-3-2 |
| Serie | CoolMOS™ | RDS (Max) @Id, Vgs | 99 mOhm @ 18A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 255W (Tc) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Otros nombres | IPB60R099CP IPB60R099CP-ND IPB60R099CPATMA1TR IPB60R099CPTR IPB60R099CPTR-ND IPB60R099CPXT IPB60R099CSXT SP000088490 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2800pF @ 100V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 80nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 600V |
| Descripción detallada | N-Channel 600V 31A (Tc) 255W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 31A (Tc) |
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|---|---|---|
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