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IXTH10N100D2

IXYS CorporationIXYS Corporation
IXTH10N100D2 Image
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Descripción del producto

Número de pieza: IXTH10N100D2
Fabricante / Marca: IXYS Corporation
Descripción del producto MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247
Especificaciones: IXTH10N100D2.pdf
Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock 8553 pcs stock
Nave de Hong Kong
Manera del envío DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 8553 pcs
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
30 pcs
$3.998
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Especificaciones de IXTH10N100D2

Número de pieza IXTH10N100D2 Fabricante IXYS Corporation
Descripción MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 8553 pcs Ficha de datos IXTH10N100D2.pdf
VGS (th) (Max) @Id - Vgs (Max) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) Paquete del dispositivo TO-247
Serie - RDS (Max) @Id, Vgs 1.5 Ohm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo) 695W (Tc) embalaje Tube
Paquete / Cubierta TO-247-3 Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5320pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 200nC @ 5V Tipo FET N-Channel
Característica de FET Depletion Mode Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 1000V Descripción detallada N-Channel 1000V 10A (Tc) 695W (Tc) Through Hole TO-247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)

Modo de transporte

★ ENVÍO GRATUITO A TRAVÉS DE DHL / FEDEX / UPS SI PIDE UNA CANTIDAD MÁS DE 1,000 USD.
(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

FEDEX www.FedEx.com Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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