70V3589S133DRG8

IDT (Integrated Device Technology)

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Descripción del producto

Número de pieza:	70V3589S133DRG8
Fabricante / Marca:	IDT (Integrated Device Technology)
Descripción del producto	IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP
Especificaciones:	70V3589S133DRG8.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	6195 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6195 pcs

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Especificaciones de 70V3589S133DRG8

Número de pieza	70V3589S133DRG8	Fabricante	IDT (Integrated Device Technology)
Descripción	IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	6195 pcs	Ficha de datos	70V3589S133DRG8.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página	-	Suministro de voltaje	3.15 V ~ 3.45 V
Tecnología	SRAM - Dual Port, Synchronous	Paquete del dispositivo	208-PQFP (28x28)
Serie	-	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	208-BFQFP	Otros nombres	IDT70V3589S133DRG8 IDT70V3589S133DRG8-ND
Temperatura de funcionamiento	0°C ~ 70°C (TA)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	3 (168 Hours)	Tipo de memoria	Volatile
Tamaño de la memoria	2Mb (64K x 36)	Interfaz de memoria	Parallel
Formato de memoria	SRAM	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada	SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 2Mb (64K x 36) Parallel 133MHz 4.2ns 208-PQFP (28x28)	Frecuencia de reloj	133MHz
Número de pieza base	IDT70V3589	Tiempo de acceso	4.2ns

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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