SUV85N10-10-E3

Electro-Films (EFI) / Vishay

La imagen puede ser representación. Ver especificaciones para detalles del producto.

Descripción del producto

Número de pieza:	SUV85N10-10-E3
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto	MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Especificaciones:	1.SUV85N10-10-E3.pdf 2.SUV85N10-10-E3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4620 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4620 pcs

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Especificaciones de SUV85N10-10-E3

Número de pieza	SUV85N10-10-E3	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción	MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4620 pcs	Ficha de datos	1.SUV85N10-10-E3.pdf 2.SUV85N10-10-E3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220AB
Serie	TrenchFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	10.5 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo)	3.75W (Ta), 250W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-220-3	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	6550pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	160nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V	Descripción detallada	N-Channel 100V 85A (Tc) 3.75W (Ta), 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	85A (Tc)

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