FQB55N10TM

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FQB55N10TM
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Especificaciones:	FQB55N10TM.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	39653 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 39653 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de FQB55N10TM

Número de pieza	FQB55N10TM	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	39653 pcs	Ficha de datos	FQB55N10TM.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	D²PAK (TO-263AB)
Serie	QFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	26 mOhm @ 27.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	3.75W (Ta), 155W (Tc)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Otros nombres	FQB55N10TMCT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2730pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	98nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V
Descripción detallada	N-Channel 100V 55A (Tc) 3.75W (Ta), 155W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	55A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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TNT	www.TNT.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.

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