SQJ262EP-T1_GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción del producto

Número de pieza:	SQJ262EP-T1_GE3
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto	MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Especificaciones:	SQJ262EP-T1_GE3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	66001 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 66001 pcs

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Especificaciones de SQJ262EP-T1_GE3

Número de pieza	SQJ262EP-T1_GE3	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción	MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	66001 pcs	Ficha de datos	SQJ262EP-T1_GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 250µA	Paquete del dispositivo	PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	35.5 mOhm @ 2A, 10V, 15.5 mOhm @ 5A, 10V
Potencia - Max	27W (Tc), 48W (Tc)	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	PowerPAK® SO-8 Dual	Otros nombres	SQJ262EP-T1_GE3DKR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	550pF @ 25V, 1260pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	10nC @ 10V, 23nC @ 10V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)	Característica de FET	Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V	Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A (Tc), 40A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	15A (Tc), 40A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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