SQJ244EP-T1_GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción del producto

Número de pieza:	SQJ244EP-T1_GE3
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto	MOSFET DUAL N-CHA 40V PPAK SO-8L
Especificaciones:	SQJ244EP-T1_GE3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	177815 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 177815 pcs

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Especificaciones de SQJ244EP-T1_GE3

Número de pieza	SQJ244EP-T1_GE3	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción	MOSFET DUAL N-CHA 40V PPAK SO-8L	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	177815 pcs	Ficha de datos	SQJ244EP-T1_GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 250µA	Paquete del dispositivo	PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	11 mOhm @ 4A, 10V, 4.5 mOhm @ 10A, 10V
Potencia - Max	27W (Tc), 48W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	PowerPAK® SO-8 Dual	Otros nombres	SQJ244EP-T1_GE3TR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1200pF @ 25V, 2800pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	20nC @ 10V, 45nC @ 10V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical	Característica de FET	Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	40V	Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 40V 20A (Tc), 60A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	20A (Tc), 60A (Tc)

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Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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