ZXMN3B04N8TA

Diodes Incorporated

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Descripción del producto

Número de pieza:	ZXMN3B04N8TA
Fabricante / Marca:	Diodes Incorporated
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
Especificaciones:	ZXMN3B04N8TA.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	149562 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 149562 pcs

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Especificaciones de ZXMN3B04N8TA

Número de pieza	ZXMN3B04N8TA	Fabricante	Diodes Incorporated
Descripción	MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	149562 pcs	Ficha de datos	ZXMN3B04N8TA.pdf
VGS (th) (Max) @Id	700mV @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-SO
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	25 mOhm @ 7.2A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	2W (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Otros nombres	ZXMN3B04N8TR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2480pF @ 15V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	23.1nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	N-Channel 30V 7.2A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	7.2A (Ta)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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