ZXMN2B03E6TA

Diodes Incorporated

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Descripción del producto

Número de pieza:	ZXMN2B03E6TA
Fabricante / Marca:	Diodes Incorporated
Descripción del producto	MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6
Especificaciones:	ZXMN2B03E6TA.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	282304 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 282304 pcs

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Especificaciones de ZXMN2B03E6TA

Número de pieza	ZXMN2B03E6TA	Fabricante	Diodes Incorporated
Descripción	MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	282304 pcs	Ficha de datos	ZXMN2B03E6TA.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	SOT-23-6
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	40 mOhm @ 4.3A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	1.1W (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	SOT-23-6	Otros nombres	ZXMN2B03E6TR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1160pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	14.5nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V
Descripción detallada	N-Channel 20V 4.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-6	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	4.3A (Ta)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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