ZXMHC10A07T8TA

Diodes Incorporated

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Descripción del producto

Número de pieza:	ZXMHC10A07T8TA
Fabricante / Marca:	Diodes Incorporated
Descripción del producto	MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8
Especificaciones:	ZXMHC10A07T8TA.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	50222 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 50222 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de ZXMHC10A07T8TA

Número de pieza	ZXMHC10A07T8TA	Fabricante	Diodes Incorporated
Descripción	MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	50222 pcs	Ficha de datos	ZXMHC10A07T8TA.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Paquete del dispositivo	SM8
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	700 mOhm @ 1.5A, 10V
Potencia - Max	1.3W	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	SOT-223-8	Otros nombres	ZXMHC10A07T8CT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	138pF @ 60V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	2.9nC @ 10V
Tipo FET	2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)	Característica de FET	Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V	Descripción detallada	Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 100V 1A, 800mA 1.3W Surface Mount SM8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	1A, 800mA	Número de pieza base	ZXMHC10A07T8

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

FEDEX	www.FedEx.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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