DMT10H015LK3-13

Diodes Incorporated

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Descripción del producto

Número de pieza:	DMT10H015LK3-13
Fabricante / Marca:	Diodes Incorporated
Descripción del producto	MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252
Especificaciones:	DMT10H015LK3-13.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	65608 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 65608 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $0.467

10 pcs: $0.413

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Especificaciones de DMT10H015LK3-13

Número de pieza	DMT10H015LK3-13	Fabricante	Diodes Incorporated
Descripción	MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	65608 pcs	Ficha de datos	DMT10H015LK3-13.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-252, (D-Pak)
Serie	Automotive, AEC-Q101	RDS (Max) @Id, Vgs	15 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2.9W (Ta)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Otros nombres	DMT10H015LK3-13DICT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1871pF @ 50V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	33.3nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V
Descripción detallada	N-Channel 100V 50A (Tc) 2.9W (Ta) Surface Mount TO-252, (D-Pak)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	50A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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