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DMN10H170SVTQ-13

Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
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Descripción del producto

Número de pieza: DMN10H170SVTQ-13
Fabricante / Marca: Diodes Incorporated
Descripción del producto MOSFET N-CH 100V TSOT26
Especificaciones: DMN10H170SVTQ-13.pdf
Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock 406554 pcs stock
Nave de Hong Kong
Manera del envío DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 406554 pcs
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
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Especificaciones de DMN10H170SVTQ-13

Número de pieza DMN10H170SVTQ-13 Fabricante Diodes Incorporated
Descripción MOSFET N-CH 100V TSOT26 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 406554 pcs Ficha de datos DMN10H170SVTQ-13.pdf
VGS (th) (Max) @Id 3V @ 250µA Vgs (Max) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) Paquete del dispositivo TSOT-26
Serie - RDS (Max) @Id, Vgs 160 mOhm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo) 1.2W (Ta) embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1167pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 9.7nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Característica de FET - Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100V Descripción detallada N-Channel 100V 2.6A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount TSOT-26
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 2.6A (Ta)

Modo de transporte

★ ENVÍO GRATUITO A TRAVÉS DE DHL / FEDEX / UPS SI PIDE UNA CANTIDAD MÁS DE 1,000 USD.
(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

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