DMG10N60SCT

Diodes Incorporated

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Descripción del producto

Número de pieza:	DMG10N60SCT
Fabricante / Marca:	Diodes Incorporated
Descripción del producto	MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
Especificaciones:	DMG10N60SCT.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	76332 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 76332 pcs

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Especificaciones de DMG10N60SCT

Número de pieza	DMG10N60SCT	Fabricante	Diodes Incorporated
Descripción	MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	76332 pcs	Ficha de datos	DMG10N60SCT.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220AB
Serie	Automotive, AEC-Q101	RDS (Max) @Id, Vgs	750 mOhm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	178W (Tc)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	TO-220-3	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1587pF @ 16V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	35nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V
Descripción detallada	N-Channel 600V 12A (Tc) 178W (Tc) Through Hole TO-220AB	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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