Diodes Incorporated| Número de pieza | DMG1016VQ-7 | Fabricante | Diodes Incorporated |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N/P-CH 20V SOT563 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 484527 pcs | Ficha de datos | DMG1016VQ-7.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 1V @ 250µA | Paquete del dispositivo | SOT-563 |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 400 mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Potencia - Max | 530mW | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | SOT-563, SOT-666 | Otros nombres | DMG1016VQ-7DI DMG1016VQ-7DI-ND DMG1016VQ-7DITR |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 60.67pF @ 16V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 0.74nC @ 4.5V |
| Tipo FET | N and P-Channel | Característica de FET | Logic Level Gate |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V | Descripción detallada | Mosfet Array N and P-Channel 20V 870mA, 640mA 530mW Surface Mount SOT-563 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 870mA, 640mA |
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|---|---|---|
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