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AMI Semiconductor / ON Semiconductor
| Número de pieza | NTMS10P02R2G | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 113008 pcs | Ficha de datos | NTMS10P02R2G.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 1.2V @ 250µA | Vgs (Max) | ±12V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | 8-SOIC |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 14 mOhm @ 10A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo) | 1.6W (Ta) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Otros nombres | NTMS10P02R2GOS NTMS10P02R2GOS-ND NTMS10P02R2GOSTR |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3640pF @ 16V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 70nC @ 4.5V |
| Tipo FET | P-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V |
| Descripción detallada | P-Channel 20V 8.8A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 8.8A (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
|---|---|---|
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