NTMS10P02R2

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	NTMS10P02R2
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
Especificaciones:	NTMS10P02R2.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
Condición de stock	156075 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 156075 pcs

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Especificaciones de NTMS10P02R2

Número de pieza	NTMS10P02R2	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no compatible
cantidad disponible	156075 pcs	Ficha de datos	NTMS10P02R2.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1.2V @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-SOIC
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	14 mOhm @ 10A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	1.6W (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Otros nombres	NTMS10P02R2OSTR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3640pF @ 16V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	70nC @ 4.5V
Tipo FET	P-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V
Descripción detallada	P-Channel 20V 8.8A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	8.8A (Ta)

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