HGTG10N120BND

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	HGTG10N120BND
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	IGBT 1200V 35A 298W TO247
Especificaciones:	HGTG10N120BND.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	25035 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 25035 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $1.338

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Especificaciones de HGTG10N120BND

Número de pieza	HGTG10N120BND	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	IGBT 1200V 35A 298W TO247	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	25035 pcs	Ficha de datos	HGTG10N120BND.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)	1200V	Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 10A
Condición de prueba	960V, 10A, 10 Ohm, 15V	Td (encendido / apagado) @ 25 ° C	23ns/165ns
Cambio de Energía	850µJ (on), 800µJ (off)	Paquete del dispositivo	TO-247
Serie	-	Tiempo de recuperación inversa (trr)	70ns
Potencia - Max	298W	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-247-3	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Tipo de entrada	Standard
Tipo de IGBT	NPT	puerta de carga	100nC
Descripción detallada	IGBT NPT 1200V 35A 298W Through Hole TO-247	Corriente - Colector Pulsada (ICM)	80A
Corriente - colector (Ic) (Max)	35A

Modo de transporte
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Especificaciones

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