HGTD1N120BNS9A

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	HGTD1N120BNS9A
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
Especificaciones:	HGTD1N120BNS9A.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	59454 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 59454 pcs

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Especificaciones de HGTD1N120BNS9A

Número de pieza	HGTD1N120BNS9A	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	59454 pcs	Ficha de datos	HGTD1N120BNS9A.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)	1200V	Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.9V @ 15V, 1A
Condición de prueba	960V, 1A, 82 Ohm, 15V	Td (encendido / apagado) @ 25 ° C	15ns/67ns
Cambio de Energía	70µJ (on), 90µJ (off)	Paquete del dispositivo	TO-252AA
Serie	-	Potencia - Max	60W
embalaje	Original-Reel®	Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres	HGTD1N120BNS9ADKR	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Tipo de entrada	Standard
Tipo de IGBT	NPT	puerta de carga	14nC
Descripción detallada	IGBT NPT 1200V 5.3A 60W Surface Mount TO-252AA	Corriente - Colector Pulsada (ICM)	6A
Corriente - colector (Ic) (Max)	5.3A	Número de pieza base	HGTD1N120

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