FQD17P06TF

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FQD17P06TF
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Especificaciones:	1.FQD17P06TF.pdf 2.FQD17P06TF.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4934 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4934 pcs

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Especificaciones de FQD17P06TF

Número de pieza	FQD17P06TF	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET P-CH 60V 12A DPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4934 pcs	Ficha de datos	1.FQD17P06TF.pdf 2.FQD17P06TF.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	D-Pak
Serie	QFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	135 mOhm @ 6A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2.5W (Ta), 44W (Tc)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Otros nombres	FQD17P06TFCT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	900pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	27nC @ 10V
Tipo FET	P-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V
Descripción detallada	P-Channel 60V 12A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount D-Pak	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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