FQD17N08LTM

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FQD17N08LTM
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 80V 12.9A DPAK
Especificaciones:	1.FQD17N08LTM.pdf 2.FQD17N08LTM.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	170643 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 170643 pcs

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Especificaciones de FQD17N08LTM

Número de pieza	FQD17N08LTM	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 80V 12.9A DPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	170643 pcs	Ficha de datos	1.FQD17N08LTM.pdf 2.FQD17N08LTM.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-252, (D-Pak)
Serie	QFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	100 mOhm @ 6.45A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2.5W (Ta), 40W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Otros nombres	FQD17N08LTM-ND FQD17N08LTMTR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	520pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	11.5nC @ 5V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	80V
Descripción detallada	N-Channel 80V 12.9A (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	12.9A (Tc)

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Después de las ventas
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