FDS8958A-F085

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDS8958A-F085
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
Especificaciones:	FDS8958A-F085.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	124036 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 124036 pcs

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Especificaciones de FDS8958A-F085

Número de pieza	FDS8958A-F085	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	124036 pcs	Ficha de datos	FDS8958A-F085.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 250µA	Paquete del dispositivo	8-SO
Serie	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	28 mOhm @ 7A, 10V
Potencia - Max	900mW	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Otros nombres	FDS8958A-F085TR FDS8958A_F085 FDS8958A_F085TR FDS8958A_F085TR-ND FDS8958AF085
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	575pF @ 15V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	16nC @ 10V
Tipo FET	N and P-Channel	Característica de FET	Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V	Descripción detallada	Mosfet Array N and P-Channel 30V 7A, 5A 900mW Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	7A, 5A

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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