FDS8949-F085

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDS8949-F085
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC
Especificaciones:	FDS8949-F085.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	132606 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 132606 pcs

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Especificaciones de FDS8949-F085

Número de pieza	FDS8949-F085	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	132606 pcs	Ficha de datos	FDS8949-F085.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 250µA	Paquete del dispositivo	8-SO
Serie	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	29 mOhm @ 6A, 10V
Potencia - Max	2W	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Otros nombres	FDS8949-F085TR FDS8949_F085 FDS8949_F085TR FDS8949_F085TR-ND FDS8949F085
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	955pF @ 20V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	11nC @ 5V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)	Característica de FET	Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	40V	Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 6A 2W Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	6A

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Después de las ventas
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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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TNT	www.TNT.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.

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