FDR8305N

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDR8305N
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SSOT-8
Especificaciones:	FDR8305N.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	3422 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3422 pcs

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Especificaciones de FDR8305N

Número de pieza	FDR8305N	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SSOT-8	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	3422 pcs	Ficha de datos	FDR8305N.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1.5V @ 250µA	Paquete del dispositivo	SuperSOT™-8
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	22 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Potencia - Max	800mW	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-SMD, Gull Wing	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1600pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	23nC @ 4.5V	Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Característica de FET	Logic Level Gate	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V
Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.5A 800mW Surface Mount SuperSOT™-8	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	4.5A

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