FDR6674A

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDR6674A
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 11.5A SSOT-8
Especificaciones:	FDR6674A.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4675 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4675 pcs

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Especificaciones de FDR6674A

Número de pieza	FDR6674A	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 30V 11.5A SSOT-8	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4675 pcs	Ficha de datos	FDR6674A.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	SuperSOT™-8
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	9.5 mOhm @ 10.5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	1.8W (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-SMD, Gull Wing	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5070pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	46nC @ 4.5V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V	Descripción detallada	N-Channel 30V 11.5A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	11.5A (Ta)

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