FDP2710-F085

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDP2710-F085
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 250V 4A TO-220
Especificaciones:	FDP2710-F085.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	21415 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 21415 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $1.489

10 pcs: $1.329

100 pcs: $1.09

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Especificaciones de FDP2710-F085

Número de pieza	FDP2710-F085	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 250V 4A TO-220	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	21415 pcs	Ficha de datos	FDP2710-F085.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220-3
Serie	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	47 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo)	403W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3	Otros nombres	FDP2710_F085 FDP2710_F085-ND
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5690pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	101nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	250V
Descripción detallada	N-Channel 250V 4A (Ta) 403W (Tc) Through Hole TO-220-3	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	4A (Ta)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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