FDME1034CZT

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDME1034CZT
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N/P-CH 20V 6-MICROFET
Especificaciones:	FDME1034CZT.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	100384 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 100384 pcs

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Especificaciones de FDME1034CZT

Número de pieza	FDME1034CZT	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N/P-CH 20V 6-MICROFET	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	100384 pcs	Ficha de datos	FDME1034CZT.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1V @ 250µA	Paquete del dispositivo	6-MicroFET (1.6x1.6)
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	66 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Potencia - Max	600mW	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	6-UFDFN Exposed Pad	Otros nombres	FDME1034CZTFSCT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	300pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	4.2nC @ 4.5V
Tipo FET	N and P-Channel	Característica de FET	Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V	Descripción detallada	Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.8A, 2.6A 600mW Surface Mount 6-MicroFET (1.6x1.6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	3.8A, 2.6A

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