FDMD8900

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDMD8900
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET 2N-CH 30V POWER
Especificaciones:	FDMD8900.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	99492 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 99492 pcs

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Especificaciones de FDMD8900

Número de pieza	FDMD8900	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET 2N-CH 30V POWER	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	99492 pcs	Ficha de datos	FDMD8900.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 250µA	Paquete del dispositivo	12-Power3.3x5
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	4 mOhm @ 19A, 10V
Potencia - Max	2.1W	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	12-PowerWDFN	Otros nombres	FDMD8900TR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2605pF @ 15V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	35nC @ 10V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)	Característica de FET	Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V	Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 19A, 17A 2.1W Surface Mount 12-Power3.3x5
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	19A, 17A

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Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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