FDMD8430

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDMD8430
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	FET ENGR DEV-NOT REL
Especificaciones:	FDMD8430.pdf
Condición de stock	45300 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 45300 pcs

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Especificaciones de FDMD8430

Número de pieza	FDMD8430	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	FET ENGR DEV-NOT REL	Estado Libre de plomo / Estado RoHS
cantidad disponible	45300 pcs	Ficha de datos	FDMD8430.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 250µA	Paquete del dispositivo	8-PQFN (3.3x5)
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	2.12 mOhm @ 28A, 10V
Potencia - Max	2.1W (Ta), 29W (Tc)	Paquete / Cubierta	8-PowerWDFN
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5035pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	90nC @ 10V	Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Common Source
Característica de FET	Standard	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 30V 28A (Ta), 95A (Tc) 2.1W (Ta), 29W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x5)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	28A (Ta), 95A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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