FDFME3N311ZT

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDFME3N311ZT
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET
Especificaciones:	FDFME3N311ZT.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	342369 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 342369 pcs

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Especificaciones de FDFME3N311ZT

Número de pieza	FDFME3N311ZT	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	342369 pcs	Ficha de datos	FDFME3N311ZT.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	6-MicroFET (1.6x1.6)
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	299 mOhm @ 1.6A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	1.4W (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	6-UFDFN Exposed Pad	Otros nombres	FDFME3N311ZT-ND FDFME3N311ZTTR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	75pF @ 15V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	1.4nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	Schottky Diode (Isolated)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	N-Channel 30V 1.8A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (1.6x1.6)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	1.8A (Ta)

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