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AMI Semiconductor / ON Semiconductor
| Número de pieza | FDFMA3N109 | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 102864 pcs | Ficha de datos | FDFMA3N109.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 1.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±12V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | 6-MicroFET (2x2) |
| Serie | PowerTrench® | RDS (Max) @Id, Vgs | 123 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo) | 1.5W (Ta) | embalaje | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta | 6-VDFN Exposed Pad | Otros nombres | FDFMA3N109CT FDFMA3N109CT-ND FDFMA3N109FSCT |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 220pF @ 15V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 3nC @ 4.5V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción detallada | N-Channel 30V 2.9A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2) | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 2.9A (Tc) |
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|---|---|---|
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