FDC3612

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDC3612
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 100V 2.6A SSOT-6
Especificaciones:	FDC3612.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	129542 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 129542 pcs

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Especificaciones de FDC3612

Número de pieza	FDC3612	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 100V 2.6A SSOT-6	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	129542 pcs	Ficha de datos	FDC3612.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	SuperSOT™-6
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	125 mOhm @ 2.6A, 10V
La disipación de energía (máximo)	1.6W (Ta)	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Otros nombres	FDC3612DKR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	660pF @ 50V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	20nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V
Descripción detallada	N-Channel 100V 2.6A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	2.6A (Ta)

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