FDC30N20DZ

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDC30N20DZ
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT23-6
Especificaciones:	FDC30N20DZ.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	161020 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 161020 pcs

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Especificaciones de FDC30N20DZ

Número de pieza	FDC30N20DZ	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT23-6	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	161020 pcs	Ficha de datos	FDC30N20DZ.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	SOT-23-6
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	31 mOhm @ 4.6A, 10V
La disipación de energía (máximo)	960mW (Ta)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Otros nombres	FDC30N20DZOSCT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	535pF @ 15V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	7.9nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	N-Channel 30V 4.6A (Ta) 960mW (Ta) Surface Mount SOT-23-6	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	4.6A (Ta)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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