FDB016N04AL7

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDB016N04AL7
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
Especificaciones:	FDB016N04AL7.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	35313 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 35313 pcs

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Especificaciones de FDB016N04AL7

Número de pieza	FDB016N04AL7	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	35313 pcs	Ficha de datos	FDB016N04AL7.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	D²PAK (TO-263)
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	1.6 mOhm @ 80A, 10V
La disipación de energía (máximo)	283W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	Otros nombres	FDB016N04AL7-ND FDB016N04AL7TR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	11600pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	167nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	40V
Descripción detallada	N-Channel 40V 160A (Tc) 283W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	160A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

FEDEX	www.FedEx.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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